Subvention

Nouvelles hétérostructures du groupe IV (type p) pour les technologies quantiques évolutives

Le projet a pour but de préciser la conception de nouveaux matériaux quantiques qui serviront à produire des semi-conducteurs du groupe IV optiquement actifs. La recherche jettera les bases des futurs dispositifs quantiques qui utiliseront une interface trou du spin-photon sur une plateforme compatible avec les normes de conditionnement en usage dans l’industrie des semi-conducteurs. Depuis des décennies, les systèmes à dimensions réduites compatibles avec le silicium et les dispositifs quantiques utilisent des puits quantiques à base de silicium (Si) étiré ou de germanium (Ge) comprimé, seuls systèmes du groupe IV que l’on peut obtenir aisément en utilisant le SiGe comme substrat de croissance et couche limite. On s’est servi du silicium pour bâtir des qubits avec le spin des électrons et l’on a exploré l’usage du Ge pour trouver comment créer autrement des qubits reposant sur le spin du trou. Dans le cadre de ce projet, l’équipe se penchera sur un troisième système à dimensions réduites, développé depuis peu. Le système en question consiste en puits quantiques de Ge extrêmement étirés, intégrés à une plateforme active optiquement. Selon le plan expérimental, on précisera les propriétés fondamentales des trous légers dans la nouvelle structure quantique et l’on en évaluera la pertinence pour les nouvelles technologies quantiques.