Subvention

Capteur quantique à base de silicium

Ces dernières années ont été marquées par une croissance phénoménale dans le secteur des technologies quantiques, avec des avancées révolutionnaires dans les domaines de la détection, de la communication et de l’informatique. Au cours des 5 dernières années, le « centre T » (« T-center ») du silicium, un défaut à l’échelle atomique, s’est imposé comme une plateforme matérielle quantique prometteuse en raison de son émission optique pour les télécommunications, de sa compatibilité avec les substrats « silicium sur isolant » (« silicon-on-insulator », ou SOI) et de la longue durée de vie de ses spins électroniques et nucléaires. Néanmoins, les défauts du SOI souffrent actuellement d’une fabrication inefficace, de mauvaises propriétés optiques et de spin, et de questions non réglées concernant leur couplage avec la déformation du matériau. En collaboration avec le Centre de recherche en quantique et en nanotechnologies du CNRC, le projet permettra de surmonter ces défis en 1) développant des techniques de détection quantique magnétique et des protocoles de fabrication avancés pour des centres T de haute qualité dans le SOI et 2) en caractérisant le couplage de la déformation du centre T. Les techniques et les matériaux qui en résulteront ouvriront la voie à des dispositifs quantiques transformateurs et contribueront à la croissance de l’industrie quantique et à la formation de scientifiques hautement qualifiés au Canada.